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IPB054N08N3GATMA1  与  PSMN6R5-80BS,118  区别

型号 IPB054N08N3GATMA1 PSMN6R5-80BS,118
唯样编号 A-IPB054N08N3GATMA1 A-PSMN6R5-80BS,118
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 150W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 80V
Pd-功率耗散(Max) - 210W
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 4750pF @ 40V -
输出电容 - 410pF
栅极电压Vgs - 3V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB SOT404
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 90uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 69nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id - 100A
输入电容 - 4461pF
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 5.4 毫欧 @ 80A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 80A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 6V,10V -
漏源电压(Vdss) 80V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 6.9mΩ@10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
210+ :  ¥8.853
400+ :  ¥7.5025
800+ :  ¥6.883
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPB054N08N3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB054N08N3 G_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

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阶梯数 价格
210: ¥11.1895
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¥8.853 

阶梯数 价格
210: ¥8.853
400: ¥7.5025
800: ¥6.883
0 对比

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