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IPB054N06N3GATMA1  与  BUK9608-55A,118  区别

型号 IPB054N06N3GATMA1 BUK9608-55A,118
唯样编号 A-IPB054N06N3GATMA1 A-BUK9608-55A,118
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 115W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 55V
Pd-功率耗散(Max) - 253W
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 6600pF @ 30V -
输出电容 - 760pF
栅极电压Vgs - 1.5V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB SOT404
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 58uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 82nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id - 75A
输入电容 - 4551pF
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 5.4 毫欧 @ 80A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 80A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
漏源电压(Vdss) 60V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 7.5mΩ@10V,8mΩ@5V,8.5mΩ@4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
170+ :  ¥20.2222
400+ :  ¥15.2046
800+ :  ¥12.4628
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¥20.2222 

阶梯数 价格
170: ¥20.2222
400: ¥15.2046
800: ¥12.4628
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