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IPB04N03LAT  与  IPB04N03LA  区别

型号 IPB04N03LAT IPB04N03LA
唯样编号 A-IPB04N03LAT A-IPB04N03LA
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3 MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 107W(Tc) 107W(Tc)
技术 MOSFET(金属氧化物) MOSFET(金属氧化物)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 3877pF @ 15V 3877pF @ 15V
FET类型 N 通道 N 通道
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2V @ 60uA 2V @ 60uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 32nC @ 5V 32nC @ 5V
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 3.9 毫欧 @ 55A,10V 3.9 毫欧 @ 55A,10V
Vgs(最大值) ±20V ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) 80A(Tc) 80A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) 25V 25V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPB04N03LAT Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
IPB04N03LA Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

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