IPB042N10N3GATMA1 与 BUK763R8-80E,118 区别
| 型号 | IPB042N10N3GATMA1 | BUK763R8-80E,118 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IPB042N10N3GATMA1 | A-BUK763R8-80E,118 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Nexperia |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK | MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散(最大值) | 214W(Tc) | - |
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | - |
| 漏源极电压Vds | - | 80V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 349W |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 8410pF @ 50V | - |
| 输出电容 | - | 840pF |
| 栅极电压Vgs | - | 3V |
| FET类型 | N 通道 | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-263-2 | SOT404 |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 3.5V @ 150uA | - |
| 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 117nC @ 10V | - |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | 175°C |
| 连续漏极电流Id | - | 120A |
| 输入电容 | - | 9020pF |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 4.2 毫欧 @ 50A,10V | - |
| Vgs(最大值) | ±20V | - |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 100A(Tc) | - |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 6V,10V | - |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | - |
| Rds On(max)@Id,Vgs | - | 3.8mΩ@10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 40 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IPB042N10N3GATMA1 | Infineon | 数据手册 | 通用MOSFET |
N 通道 -55°C~175°C(TJ) TO-263-2 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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AOB292L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263 N-Channel 100V ±20V 105A 300W 4.1mΩ@20A,10V -55°C~175°C |
￥14.6939
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749 | 对比 | ||||||||||
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BUK765R0-100E,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 349W -55°C~175°C ±20V 100V 120A |
暂无价格 | 600 | 对比 | ||||||||||
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BUK763R8-80E,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 349W 175°C 3V 80V 120A |
暂无价格 | 40 | 对比 | ||||||||||
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PSMN3R8-100BS,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 306W 175°C 3V 100V 120A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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PSMN3R8-100BS,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 306W 175°C 3V 100V 120A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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