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IPB042N10N3GATMA1  与  AUIRLS4030TRL  区别

型号 IPB042N10N3GATMA1 AUIRLS4030TRL
唯样编号 A-IPB042N10N3GATMA1 A-AUIRLS4030TRL
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 214W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 4.3mΩ@110A,10V
漏源极电压Vds - 100V
产品特性 - 车规
Pd-功率耗散(Max) - 370W(Tc)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 8410pF @ 50V -
栅极电压Vgs - ±16V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB D2PAK
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 150uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 117nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 180A(Tc)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 4.2 毫欧 @ 50A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 100A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 6V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) 100V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 11360pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 130nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPB042N10N3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB042N10N3 G_N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
AOB292L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 100V ±20V 105A 300W 4.1mΩ@20A,10V -55℃~175℃

¥14.6939 

阶梯数 价格
1: ¥14.6939
100: ¥10.5882
400: ¥9.1139
800: ¥7.2
749 对比
PSMN3R8-100BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN3R8-100BS_SOT404 N-Channel 306W 175℃ 3V 100V 120A

¥16.4177 

阶梯数 价格
200: ¥16.4177
400: ¥13.4572
800: ¥11.7019
0 对比
BUK765R0-100E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK765R0-100E_SOT404 N-Channel 349W 175℃ 3V 100V 120A

暂无价格 0 对比
PSMN3R8-100BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN3R8-100BS_SOT404 N-Channel 306W 175℃ 3V 100V 120A

暂无价格 0 对比
AUIRLS4030TRL Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 100V 180A(Tc) ±16V 370W(Tc) 4.3mΩ@110A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK 车规

暂无价格 0 对比

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