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IPB037N06N3GATMA1  与  AOB266L  区别

型号 IPB037N06N3GATMA1 AOB266L
唯样编号 A-IPB037N06N3GATMA1 A36-AOB266L
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 20
功率耗散(最大值) 188W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 3.2mΩ@10V
ESD Diode - No
Rds On(Max)@4.5V - 3.8mΩ
Qgd(nC) - 7
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 11000pF @ 30V -
栅极电压Vgs - 20V
Td(on)(ns) - 21
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB TO-263
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 98nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -
连续漏极电流Id - 140A
Ciss(pF) - 5650
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 3.7 毫欧 @ 90A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 27
Td(off)(ns) - 36
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 268W
Qrr(nC) - 145
VGS(th) - 3.2
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 90uA -
25°C时电流-连续漏极(Id) 90A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 60V -
Coss(pF) - 720
Qg*(nC) - 65*
库存与单价
库存 0 384
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
5+ :  ¥11.583
100+ :  ¥9.823
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