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IPB037N06N3GATMA1  与  PSMN4R6-60BS,118  区别

型号 IPB037N06N3GATMA1 PSMN4R6-60BS,118
唯样编号 A-IPB037N06N3GATMA1 A-PSMN4R6-60BS,118
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 188W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 211W
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 11000pF @ 30V -
输出电容 - 567pF
栅极电压Vgs - 3V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB SOT404
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 90uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 98nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id - 100A
输入电容 - 4426pF
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 3.7 毫欧 @ 90A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 90A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
漏源电压(Vdss) 60V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 4.4mΩ@10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
200+ :  ¥10.0823
400+ :  ¥8.2642
800+ :  ¥7.1863
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPB037N06N3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB037N06N3 G_N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

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10: ¥5.159
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¥10.0823 

阶梯数 价格
200: ¥10.0823
400: ¥8.2642
800: ¥7.1863
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¥15.3136 

阶梯数 价格
200: ¥15.3136
400: ¥12.5522
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TO-263 N-Channel 60V 20V 140A 268W 3.2mΩ@10V

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¥14.1332 

阶梯数 价格
200: ¥14.1332
400: ¥11.5846
800: ¥10.0735
0 对比

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