首页 > 商品目录 > > > > IPB037N06N3GATMA1代替型号比较

IPB037N06N3GATMA1  与  BUK763R1-60E,118  区别

型号 IPB037N06N3GATMA1 BUK763R1-60E,118
唯样编号 A-IPB037N06N3GATMA1 A-BUK763R1-60E,118
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 188W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 293W
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 11000pF @ 30V -
输出电容 - 851pF
栅极电压Vgs - 3V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB SOT404
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 90uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 98nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id - 120A
输入电容 - 6685pF
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 3.7 毫欧 @ 90A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 90A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
漏源电压(Vdss) 60V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 3.1mΩ@10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
210+ :  ¥13.3862
400+ :  ¥11.3442
800+ :  ¥10.4075
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPB037N06N3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB037N06N3 G_N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
AOB266L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 60V 20V 140A 268W 3.2mΩ@10V

¥5.159 

阶梯数 价格
10: ¥5.159
100: ¥4.125
188 对比
PSMN4R6-60BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN4R6-60BS_SOT404 N-Channel 211W 175℃ 3V 60V 100A

¥8.853 

阶梯数 价格
210: ¥8.853
400: ¥7.5025
800: ¥6.883
0 对比
BUK763R1-60E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK763R1-60E_SOT404 N-Channel 293W 175℃ 3V 60V 120A

¥13.3862 

阶梯数 价格
210: ¥13.3862
400: ¥11.3442
800: ¥10.4075
0 对比
AOB266L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 60V 20V 140A 268W 3.2mΩ@10V

暂无价格 0 对比
PSMN004-60B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN004-60B_SOT404 N-Channel 230W 175℃ 3V 60V 75A

¥11.8159 

阶梯数 价格
210: ¥11.8159
400: ¥10.0135
800: ¥9.1867
0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售