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IPB035N08N3GATMA1  与  IRFS3207ZPBF  区别

型号 IPB035N08N3GATMA1 IRFS3207ZPBF
唯样编号 A-IPB035N08N3GATMA1 A-IRFS3207ZPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK Single N-Channel 75 V 300 W 120 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 214W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 4.1mΩ@75A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 8110pF @ 40V -
栅极电压Vgs - ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB D²PAK(TO-263)
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 117nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 170A
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 3.5 毫欧 @ 100A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 6V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 150µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 6920pF
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 75V
Pd-功率耗散(Max) - 300W(Tc)
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 155uA -
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 50V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 150µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 6920pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 170nC @ 10V
25°C时电流-连续漏极(Id) 100A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 80V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 170nC
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPB035N08N3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB035N08N3 G_N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
IRFS3207ZPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 300W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4.1mΩ@75A,10V N-Channel 75V 170A D²PAK(TO-263)

暂无价格 0 对比
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¥16.4177 

阶梯数 价格
200: ¥16.4177
400: ¥13.4572
800: ¥11.7019
0 对比
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¥14.3564 

阶梯数 价格
200: ¥14.3564
400: ¥11.7675
800: ¥10.2326
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PSMN3R3-80BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN3R3-80BS_SOT404 N-Channel 306W 175℃ 3V 80V 120A

暂无价格 0 对比

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