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IPB034N06L3GATMA1  与  IRFS3306PBF  区别

型号 IPB034N06L3GATMA1 IRFS3306PBF
唯样编号 A-IPB034N06L3GATMA1 A-IRFS3306PBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK Single N-Channel 60 V 230 W 85 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 167W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 4.2mΩ@75A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 13000pF @ 30V -
栅极电压Vgs - ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB D2PAK
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 79nC @ 4.5V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 160A
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 3.4 毫欧 @ 90A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 150µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 4520pF
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 230W(Tc)
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 93uA -
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 50V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 150µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 4520pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 120nC @ 10V
25°C时电流-连续漏极(Id) 90A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 60V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 120nC
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPB034N06L3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB034N06L3 G_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

暂无价格 0 当前型号
AOB266L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263

¥11.583 

阶梯数 价格
5: ¥11.583
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PSMN004-60B_SOT404

¥11.8159 

阶梯数 价格
210: ¥11.8159
400: ¥10.0135
800: ¥9.1867
0 对比
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BUK764R0-55B_SOT404

¥13.4138 

阶梯数 价格
210: ¥13.4138
400: ¥11.3676
800: ¥10.429
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10.67mm

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IRFS3306PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

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