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IPB034N06L3GATMA1  与  AUIRFS3206  区别

型号 IPB034N06L3GATMA1 AUIRFS3206
唯样编号 A-IPB034N06L3GATMA1 A-AUIRFS3206
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFS3206, 120 A,210 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 167W(Tc) -
宽度 - 9.65mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 3mΩ
引脚数目 - 3
最小栅阈值电压 - 2V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 13000pF @ 30V -
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 79nC @ 4.5V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 120A,210A
长度 - 10.67mm
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 3.4 毫欧 @ 90A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
每片芯片元件数目 - 1 Ohms
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 150µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 6540pF @ 50V
高度 - 4.83mm
类别 - 功率 MOSFET
典型关断延迟时间 - 55 ns
技术 MOSFET(金属氧化物) -
晶体管材料 - Si
Pd-功率耗散(Max) - 300W
晶体管配置 -
FET类型 N 通道 -
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 93uA -
系列 - HEXFET
25°C时电流-连续漏极(Id) 90A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 60V -
典型接通延迟时间 - 19 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 170nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPB034N06L3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB034N06L3 G_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

暂无价格 0 当前型号
AOB266L AOS  数据手册 功率MOSFET

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阶梯数 价格
210: ¥13.4138
400: ¥11.3676
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