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IPB026N06NATMA1  与  AOB262L  区别

型号 IPB026N06NATMA1 AOB262L
唯样编号 A-IPB026N06NATMA1 A-AOB262L
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 25A/100A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 3W(Ta),136W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 2.8 mΩ @ 20A,10V
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 2.1W(Ta),333W(Tc)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 4100pF @ 30V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB TO-263(D?Pak)
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 75uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 56nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 20A(Ta),140A(Tc)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 2.6 毫欧 @ 100A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
栅极电荷Qg - 115nC @ 10V
25°C时电流-连续漏极(Id) 25A(Ta),100A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 6V,10V -
漏源电压(Vdss) 60V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPB026N06NATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB026N06N_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

暂无价格 0 当前型号
AOB270L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263(D?Pak)

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阶梯数 价格
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400: ¥13.3775
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0 对比
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阶梯数 价格
210: ¥14.8259
400: ¥12.5643
800: ¥11.5269
0 对比
AOB262L AOS 功率MOSFET

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