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IPB020NE7N3GATMA1  与  AOB270L  区别

型号 IPB020NE7N3GATMA1 AOB270L
唯样编号 A-IPB020NE7N3GATMA1 A-AOB270L
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 300W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 2.3 mΩ @ 20A,10V
漏源极电压Vds - 75V
Pd-功率耗散(Max) - 2.1W(Ta),500W(Tc)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 14400pF @ 37.5V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB TO-263(D?Pak)
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.8V @ 273uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 206nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 21.5A(Ta),140A(Tc)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 2 毫欧 @ 100A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
栅极电荷Qg - 215nC @ 10V
25°C时电流-连续漏极(Id) 120A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
漏源电压(Vdss) 75V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPB020NE7N3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB020NE7N3 G_N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
STB160N75F3 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 10,000 对比
PSMN1R7-60BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN1R7-60BS_SOT404 N-Channel 306W 175℃ 3V 60V 120A

¥16.1373 

阶梯数 价格
200: ¥16.1373
400: ¥13.2273
800: ¥11.502
0 对比
AOB270L AOS  数据手册 功率MOSFET

21.5A(Ta),140A(Tc) N-Channel ±20V 2.3 mΩ @ 20A,10V TO-263(D?Pak) 2.1W(Ta),500W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 75V

暂无价格 0 对比
PSMN1R7-60BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN1R7-60BS_SOT404 N-Channel 306W 175℃ 3V 60V 120A

暂无价格 0 对比
BUK962R8-60E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK962R8-60E_SOT404 N-Channel 324W 175℃ 1.7V 60V 120A

¥19.7806 

阶梯数 价格
200: ¥19.7806
400: ¥16.2136
800: ¥14.0988
0 对比

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