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IPB019N06L3GATMA1  与  BUK962R5-60E,118  区别

型号 IPB019N06L3GATMA1 BUK962R5-60E,118
唯样编号 A-IPB019N06L3GATMA1 A36-BUK962R5-60E,118
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 250W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 349W
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 28000pF @ 30V -
输出电容 - 1051pF
栅极电压Vgs - ±10V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB SOT404
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 196uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 166nC @ 4.5V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55℃~175℃
连续漏极电流Id - 120A
输入电容 - 13070pF
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 1.9 毫欧 @ 100A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 120A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
漏源电压(Vdss) 60V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 2.5mΩ@25A,5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPB019N06L3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB019N06L3 G_N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
PSMN1R7-60BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

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阶梯数 价格
200: ¥16.1373
400: ¥13.2273
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0 对比
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BUK962R5-60E_SOT404 N-Channel 349W -55℃~175℃ ±10V 60V 120A

¥16.6571 

阶梯数 价格
200: ¥16.6571
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BUK962R5-60E_SOT404 N-Channel 349W -55℃~175℃ ±10V 60V 120A

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AOB260L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 60V 20V 140A 330W 2.2mΩ@10V

暂无价格 0 对比

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