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IPB019N06L3GATMA1  与  IRF3707ZSTRLPBF  区别

型号 IPB019N06L3GATMA1 IRF3707ZSTRLPBF
唯样编号 A-IPB019N06L3GATMA1 A32-IRF3707ZSTRLPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK Infineon IRF3707ZS 系列 N沟道 MOSFET IRF3707ZSTRLPBF, 59 A, Vds=30 V, 2 + Tab引脚 D2PAK封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 250W(Tc) -
宽度 - 9.65mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 12.5mΩ
引脚数目 - 2 + Tab
最小栅阈值电压 - 1.35V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 28000pF @ 30V -
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 166nC @ 4.5V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 59A
长度 - 10.67mm
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 1.9 毫欧 @ 100A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
每片芯片元件数目 - 1 Ohms
正向二极管电压 - 1V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.25V @ 25µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1210pF @ 15V
高度 - 4.83mm
类别 - 功率 MOSFET
典型关断延迟时间 - 12 ns
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Pd-功率耗散(Max) - 57W
晶体管配置 -
FET类型 N 通道 -
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 196uA -
系列 - IRF3707ZS
25°C时电流-连续漏极(Id) 120A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 60V -
典型接通延迟时间 - 9.8 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 15nC @ 4.5V
正向跨导 - 81S
库存与单价
库存 0 49
工厂交货期 56 - 70天 7 - 14天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥2.6499
2+ :  ¥2.5439
4+ :  ¥2.4423
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