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IPB019N06L3GATMA1  与  IRL60S216  区别

型号 IPB019N06L3GATMA1 IRL60S216
唯样编号 A-IPB019N06L3GATMA1 A-IRL60S216
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK IRL60S216 Series 60 V 298 A 1.95 mOhm Surface Mount IR Mosfet - D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 250W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 1.95mΩ@100A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 28000pF @ 30V -
栅极电压Vgs - ±20V
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB D2PAK
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 166nC @ 4.5V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 298A
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 1.9 毫欧 @ 100A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 15330pF @ 25V
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 375W(Tc)
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 196uA -
系列 - HEXFET®,StrongIRFET™
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 15330pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 255nC @ 4.5V
25°C时电流-连续漏极(Id) 120A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 60V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 255nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPB019N06L3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB019N06L3 G_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

暂无价格 0 当前型号
IRF3707ZSTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

10.67mm

¥2.6499 

阶梯数 价格
1: ¥2.6499
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¥15.4899 

阶梯数 价格
210: ¥15.4899
400: ¥13.127
800: ¥12.0431
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¥14.8259 

阶梯数 价格
210: ¥14.8259
400: ¥12.5643
800: ¥11.5269
0 对比
IRL60S216 Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 对比
BUK962R5-60E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK962R5-60E_SOT404

¥16.6362 

阶梯数 价格
210: ¥16.6362
400: ¥14.0985
800: ¥12.9344
0 对比

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