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IPB015N04LGATMA1  与  AUIRF4104STRL  区别

型号 IPB015N04LGATMA1 AUIRF4104STRL
唯样编号 A-IPB015N04LGATMA1 A-AUIRF4104STRL
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 250W(Tc) -
宽度 - 6.22mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 1.4mΩ
上升时间 - 130ns
产品特性 - 车规
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 28000pF @ 25V -
栅极电压Vgs - 20V
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 346nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id - 44A
配置 - Single
长度 - 6.5mm
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 1.5 毫欧 @ 100A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
下降时间 - 77ns
高度 - 2.3mm
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 40V
Pd-功率耗散(Max) - 140W
典型关闭延迟时间 - 38ns
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2V @ 200uA -
通道数量 - 1Channel
25°C时电流-连续漏极(Id) 120A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 40V -
典型接通延迟时间 - 16ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPB015N04LGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB015N04L G_N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
STB100NF04T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
AUIRF4104STRL Infineon  数据手册 功率MOSFET

40V 44A 1.4mΩ 20V 140W N-Channel -55°C~175°C 车规

暂无价格 0 对比
IRFS7434PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
STB100NF04T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
BUK661R9-40C,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK661R9-40C_SOT404 N-Channel 306W 175℃ 2.3V 40V 120A

¥31.2799 

阶梯数 价格
180: ¥31.2799
400: ¥24.4374
800: ¥20.0307
0 对比

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