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IPAW60R380CEXKSA1  与  STF13NM60N  区别

型号 IPAW60R380CEXKSA1 STF13NM60N
唯样编号 A-IPAW60R380CEXKSA1 A3-STF13NM60N
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 15A TO220 Single N-Channel 600 V 0.36 Ohm 27 nC 90 W Silicon Flange Mount Mosfet TO-220FP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 31W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 360mΩ@5.5A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 700pF @ 100V -
栅极电压Vgs - ±25V
封装/外壳 TO-220-3 整包 TO-220FP
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 32nC @ 10V -
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 11A
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 380 毫欧 @ 3.8A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 25W(Tc)
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 320uA -
系列 - MDmesh™ II
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 790pF @ 50V
FET功能 超级结 -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 30nC @ 10V
25°C时电流-连续漏极(Id) 15A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 600V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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暂无价格 0 当前型号
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阶梯数 价格
20: ¥3.74
100: ¥2.992
1,000: ¥2.772
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