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IPAN80R360P7XKSA1  与  AOTF18N65  区别

型号 IPAN80R360P7XKSA1 AOTF18N65
唯样编号 A-IPAN80R360P7XKSA1 A-AOTF18N65
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 800V 13A TO220
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 22 Ohms
功率耗散(最大值) 30W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 390mΩ@10V
ESD Diode - No
Qgd(nC) - 19.6
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 930pF @ 500V -
栅极电压Vgs - 30V
Td(on)(ns) - 54
封装/外壳 TO-220-3 整包 TO-220F
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 30nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -
连续漏极电流Id - 18A
Ciss(pF) - 3027
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 360 毫欧 @ 5.6A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 655
Td(off)(ns) - 149
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 650V
Pd-功率耗散(Max) - 50W
Qrr(nC) - 10000
VGS(th) - 4.5
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 280uA -
25°C时电流-连续漏极(Id) 13A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 800V -
Coss(pF) - 271
Qg*(nC) - 56*
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPAN80R360P7XKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPAN80R360P7_TO-220-3整包

暂无价格 0 当前型号
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TO-220FP-3

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阶梯数 价格
7: ¥7.557
100: ¥6.039
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