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IPAN65R650CEXKSA1  与  R6007ENX  区别

型号 IPAN65R650CEXKSA1 R6007ENX
唯样编号 A-IPAN65R650CEXKSA1 A3-R6007ENX
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 10.1A TO220
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 28W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 620mΩ@2.4A,10V
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 40W(Tc)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 440pF @ 100V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 整包 TO-220-3
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 210uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 23nC @ 10V -
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 7A(Tc)
FET功能 超级结 -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 650 毫欧 @ 2.1A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 10.1A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
漏源电压(Vdss) 650V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 390pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 20nC @ 10V
库存与单价
库存 0 40
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPAN65R650CEXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPAN65R650CE_N 通道 TO-220-3 整包 -40°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
R6007JNXC7G ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) N 通道 TO-220FM

¥13.0704 

阶梯数 价格
20: ¥13.0704
50: ¥8.538
100: ¥7.963
300: ¥7.5893
500: ¥7.5127
990 对比
R6007JNXC7G ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) N 通道 TO-220FM

暂无价格 100 对比
R6007ENX ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 600V 7A(Tc) ±20V 40W(Tc) 620mΩ@2.4A,10V 150°C(TJ) TO-220-3

¥5.05 

阶梯数 价格
30: ¥5.05
50: ¥4.9542
72 对比
R6007ENX ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 600V 7A(Tc) ±20V 40W(Tc) 620mΩ@2.4A,10V 150°C(TJ) TO-220-3

暂无价格 40 对比
STF10LN80K5 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220FP-3

暂无价格 0 对比

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