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IPAN65R650CEXKSA1  与  STF10LN80K5  区别

型号 IPAN65R650CEXKSA1 STF10LN80K5
唯样编号 A-IPAN65R650CEXKSA1 A-STF10LN80K5
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 10.1A TO220 MOSFET N-CH 800V 8A TO220FP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 28W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 440pF @ 100V -
FET类型 N 通道 -
封装/外壳 TO-220-3 整包 TO-220FP-3
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 210uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 23nC @ 10V -
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ) -
FET功能 超级结 -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 650 毫欧 @ 2.1A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 10.1A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
漏源电压(Vdss) 650V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPAN65R650CEXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPAN65R650CE_N 通道 TO-220-3 整包 -40°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
R6007JNXC7G ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) N 通道 TO-220FM

¥13.0704 

阶梯数 价格
20: ¥13.0704
50: ¥8.538
100: ¥7.963
500: ¥7.5893
990 对比
R6007ENX ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 600V 7A(Tc) ±20V 40W(Tc) 620mΩ@2.4A,10V 150°C(TJ) TO-220-3

¥5.05 

阶梯数 价格
30: ¥5.05
50: ¥4.9542
100: ¥4.8583
212 对比
R6007JNXC7G ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) N 通道 TO-220FM

暂无价格 50 对比
R6007JNXC7G ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) N 通道 TO-220FM

¥7.278 

阶梯数 价格
1: ¥7.278
25: ¥6.7389
50: ¥6.2396
50 对比
STF10LN80K5 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220FP-3

暂无价格 0 对比

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