首页 > 商品目录 > > > > IPAN60R210PFD7S代替型号比较

IPAN60R210PFD7S  与  R6018VNXC7G  区别

型号 IPAN60R210PFD7S R6018VNXC7G
唯样编号 A-IPAN60R210PFD7S A33-R6018VNXC7G-0
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 连续漏极电流(Id)(25°C 时):16A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4.5V @ 240uA 漏源导通电阻:210mΩ @ 4.9A, 10V 最大功率耗散(Ta=25°C):25W (Tc) 类型:N沟道 600V 10A TO-220FM, PrestoMOS™ with integrated high-speed diode
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 - TO-220FM
连续漏极电流Id - 10A
Rds On(Max)@Id,Vgs - 0.17Ω@15V
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 61W
栅极电压Vgs - ±30V
FET类型 - N-Channel
库存与单价
库存 0 1,000
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥14.2874
50+ :  ¥9.7454
100+ :  ¥9.18
300+ :  ¥8.8063
500+ :  ¥8.7296
1,000+ :  ¥8.6721
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPAN60R210PFD7S Infineon 功率MOSFET

暂无价格 0 当前型号
R6018VNXC7G ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220FM N-Channel ±30V 600V 10A 0.17Ω@15V 61W

¥14.2874 

阶梯数 价格
20: ¥14.2874
50: ¥9.7454
100: ¥9.18
300: ¥8.8063
500: ¥8.7296
1,000: ¥8.6721
1,000 对比
R6018VNXC7G ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220FM N-Channel ±30V 600V 10A 0.17Ω@15V 61W

¥14.2874 

阶梯数 价格
20: ¥14.2874
29 对比
R6018VNXC7G ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220FM N-Channel ±30V 600V 10A 0.17Ω@15V 61W

暂无价格 18 对比
R6018VNXC7G ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220FM N-Channel ±30V 600V 10A 0.17Ω@15V 61W

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售