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IPAN60R125PFD7S  与  R6035VNXC7G  区别

型号 IPAN60R125PFD7S R6035VNXC7G
唯样编号 A-IPAN60R125PFD7S A33-R6035VNXC7G
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 600V 17A TO-220FM, PrestoMOS™ with integrated high-speed diode
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 - TO-220FM
连续漏极电流Id - 17A
Rds On(Max)@Id,Vgs - 0.095Ω@15V
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 81W
栅极电压Vgs - ±30V
FET类型 - N-Channel
库存与单价
库存 0 80
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
4+ :  ¥38.0038
10+ :  ¥19.7302
30+ :  ¥15.9452
50+ :  ¥15.1882
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPAN60R125PFD7S Infineon 功率MOSFET

暂无价格 0 当前型号
R6035VNXC7G ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220FM N-Channel ±30V 600V 17A 0.095Ω@15V 81W

¥38.0038 

阶梯数 价格
4: ¥38.0038
10: ¥19.7302
30: ¥15.9452
50: ¥15.1882
80 对比
R6035VNXC7G ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220FM N-Channel ±30V 600V 17A 0.095Ω@15V 81W

暂无价格 20 对比
R6035VNXC7G ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220FM N-Channel ±30V 600V 17A 0.095Ω@15V 81W

暂无价格 0 对比

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