IPA80R800P7 与 R8009KNXC7G 区别
| 型号 | IPA80R800P7 | R8009KNXC7G | ||||||||
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| 唯样编号 | A-IPA80R800P7 | A32-R8009KNXC7G-1 | ||||||||
| 制造商 | Infineon Technologies | ROHM Semiconductor | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | High-speed Switching Nch 800V 9A Power MOSFET | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 功率耗散(最大值) | - | 59W(Tc) | ||||||||
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) | ||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 900 pF @ 100 V | ||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||
| 封装/外壳 | - | TO-220-3 | ||||||||
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | - | 4.5V @ 5mA | ||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | - | 27 nC @ 10 V | ||||||||
| 工作温度 | - | 150°C(TJ) | ||||||||
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | - | 600 毫欧 @ 4.5A,10V | ||||||||
| Vgs(最大值) | - | ±20V | ||||||||
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | - | 9A(Ta) | ||||||||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 10V | ||||||||
| 漏源电压(Vdss) | - | 800 V | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 0 | 1,770 | ||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 7 - 14天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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IPA80R800P7 | Infineon | 功率MOSFET | 暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||
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R8009KNXC7G | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel TO-220-3 150°C(TJ) |
￥22.7486
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1,770 | 对比 | ||||||||||
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R8009KNXC7G | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel TO-220-3 150°C(TJ) |
暂无价格 | 10 | 对比 | ||||||||||
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R8009KNXC7G | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel TO-220-3 150°C(TJ) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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