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IPA80R650CE  与  R8009KNXC7G  区别

型号 IPA80R650CE R8009KNXC7G
唯样编号 A-IPA80R650CE A33-R8009KNXC7G-1
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 High-speed Switching Nch 800V 9A Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 59W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 650mΩ -
Rth 3.8K/W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 900 pF @ 100 V
RthJA max 80.0K/W -
栅极电压Vgs 2.1V,3.9V -
封装/外壳 TO-220 FullPAK TO-220-3
连续漏极电流Id 4.5A -
工作温度 -40°C~150°C 150°C(TJ)
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 27 nC @ 10 V
Ptot max 33.0W -
QG 45.0nC -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 600 毫欧 @ 4.5A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
Budgetary Price €€/1k 1.02 -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
Moisture Level NA -
漏源极电压Vds 800V -
FET类型 N-Channel N-Channel
Pin Count 3.0Pins -
Mounting THT -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4.5V @ 5mA
25°C时电流-连续漏极(Id) - 9A(Ta)
漏源电压(Vdss) - 800 V
库存与单价
库存 0 200
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
3+ :  ¥54.6197
5+ :  ¥32.4748
10+ :  ¥26.3421
30+ :  ¥22.2408
50+ :  ¥21.4263
100+ :  ¥20.813
200+ :  ¥20.5064
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPA80R650CE Infineon 功率MOSFET

IPA80R650CEXKSA2_650mΩ 800V 4.5A TO-220 FullPAK N-Channel -40°C~150°C 2.1V,3.9V

暂无价格 0 当前型号
R8009KNXC7G ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel TO-220-3 150°C(TJ)

¥54.6197 

阶梯数 价格
3: ¥54.6197
5: ¥32.4748
10: ¥26.3421
30: ¥22.2408
50: ¥21.4263
100: ¥20.813
200: ¥20.5064
200 对比
R8009KNXC7G ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel TO-220-3 150°C(TJ)

暂无价格 10 对比
R8009KNXC7G ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

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