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IPA80R650CEXKSA2  与  STP10NK60ZFP  区别

型号 IPA80R650CEXKSA2 STP10NK60ZFP
唯样编号 A-IPA80R650CEXKSA2 A36-STP10NK60ZFP
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3F N-Channel 600 V 0.75 Ohm Flange Mount SuperMESH™ Power MosFet - TO-220-FP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 33W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 750mΩ@4.5A,10V
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 35W(Tc)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 100V -
栅极电压Vgs - ±30V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 整包 TO-220FP
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 470uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 45nC @ 10V -
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 10A
系列 - SuperMESH™
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1370pF @ 25V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 650 毫欧 @ 5.1A,10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 70nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 8A(Ta) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
漏源电压(Vdss) 800V -
库存与单价
库存 0 2,118
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥2.607
50+ :  ¥2.002
1,000+ :  ¥1.683
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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IPA80R650CE_TO-220-3整包

暂无价格 0 当前型号
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TO-220FP

¥2.607 

阶梯数 价格
20: ¥2.607
50: ¥2.002
1,000: ¥1.683
2,118 对比
R6007JNXC7G ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-220FM

¥10.2724 

阶梯数 价格
20: ¥10.2724
50: ¥9.4962
100: ¥9.0267
500: ¥8.4134
990 对比
AOTF10N60 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220F

暂无价格 969 对比
R6007JNXC7G ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-220FM

暂无价格 50 对比
R6007JNXC7G ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-220FM

¥7.278 

阶梯数 价格
1: ¥7.278
25: ¥6.7389
50: ¥6.2396
50 对比

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