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IPA80R650CEXKSA2  与  R6007JNXC7G  区别

型号 IPA80R650CEXKSA2 R6007JNXC7G
唯样编号 A-IPA80R650CEXKSA2 A33-R6007JNXC7G
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3F MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 33W(Tc) 46W(Tc)
技术 MOSFET(金属氧化物) MOSFET(金属氧化物)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 100V 475pF @ 100V
FET类型 N 通道 N 通道
封装/外壳 TO-220-3 整包 TO-220FM
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 470uA 7V @ 1mA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 45nC @ 10V -
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 650 毫欧 @ 5.1A,10V 780 毫欧 @ 3.5A,15V
Vgs(最大值) ±20V ±30V
25°C时电流-连续漏极(Id) 8A(Ta) 7A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V 15V
漏源电压(Vdss) 800V 600V
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) - 17.5nC @ 15V
库存与单价
库存 0 990
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥10.2724
50+ :  ¥9.4962
100+ :  ¥9.0267
500+ :  ¥8.4134
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20: ¥10.2724
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100: ¥9.0267
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1: ¥7.278
25: ¥6.7389
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50 对比

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