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IPA80R650CEXKSA2  与  AOTF10N60  区别

型号 IPA80R650CEXKSA2 AOTF10N60
唯样编号 A-IPA80R650CEXKSA2 A-AOTF10N60
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3F
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 33W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 750mΩ@5A,10V
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 50W
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1100pF @ 100V -
栅极电压Vgs - ±30V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 整包 TO-220F
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 470uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 45nC @ 10V -
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id - 10A
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 650 毫欧 @ 5.1A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 8A(Ta) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
漏源电压(Vdss) 800V -
库存与单价
库存 0 969
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPA80R650CEXKSA2 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPA80R650CE_N 通道 TO-220-3 整包 -40°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
STP10NK60ZFP STMicro  数据手册 功率MOSFET

±30V 35W(Tc) 750mΩ@4.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220FP N-Channel 600V 10A

¥2.2572 

阶梯数 价格
30: ¥2.2572
50: ¥1.7325
1,000: ¥1.4454
1,893 对比
AOTF10N60 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220F N-Channel 600V ±30V 10A 50W 750mΩ@5A,10V -55°C~150°C

¥6.2865 

阶梯数 价格
8: ¥6.2865
100: ¥5.0193
1,000: ¥4.653
1,722 对比
R6007JNXC7G ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) N 通道 TO-220FM

¥13.0704 

阶梯数 价格
20: ¥13.0704
50: ¥8.538
100: ¥7.963
500: ¥7.5893
990 对比
AOTF10N60 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220F N-Channel 600V ±30V 10A 50W 750mΩ@5A,10V -55°C~150°C

暂无价格 969 对比
STP10NK60ZFP STMicro  数据手册 功率MOSFET

±30V 35W(Tc) 750mΩ@4.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220FP N-Channel 600V 10A

暂无价格 900 对比

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