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IPA80R1K0CEXKSA2  与  R6004KNX  区别

型号 IPA80R1K0CEXKSA2 R6004KNX
唯样编号 A-IPA80R1K0CEXKSA2 A3-R6004KNX
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 800V 5.7A TO220-FP
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 32W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 980mΩ@1.5A,10V
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 40W(Tc)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 785pF @ 100V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 整包 TO-220-3
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 250uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 31nC @ 10V -
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 4A(Tc)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 950 毫欧 @ 3.6A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 5.7A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
漏源电压(Vdss) 800V -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 280pF @ 25V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 10.2nC @ 10V
库存与单价
库存 0 100
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPA80R1K0CEXKSA2 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPA80R1K0CE_N 通道 TO-220-3 整包 -40°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
STF7LN80K5 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220FP-3

暂无价格 126,000 对比
STF6N60M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220FP-3

¥2.959 

阶梯数 价格
20: ¥2.959
100: ¥2.277
1,250: ¥1.98
2,087 对比
STF7LN80K5 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220FP-3

¥5.874 

阶梯数 价格
9: ¥5.874
100: ¥4.697
114 对比
R6004KNX ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

±20V 40W(Tc) 980mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 N-Channel 600V 4A(Tc)

暂无价格 100 对比
STP6NK60ZFP STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220FP-3

暂无价格 0 对比

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