首页 > 商品目录 > > > > IPA65R225C7XKSA1代替型号比较

IPA65R225C7XKSA1  与  FCPF16N60  区别

型号 IPA65R225C7XKSA1 FCPF16N60
唯样编号 A-IPA65R225C7XKSA1 A-FCPF16N60
制造商 Infineon Technologies ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 7A TO220-FP N-Channel 600 V 0.26 Ohm Flange Mount SuperFET Mosfet TO-220F
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 29W(Tc) -
功率 - 37.9 W
宽度 - 4.7mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 260 m0hms
引脚数目 - 3
最小栅阈值电压 - 3V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 996pF @ 400V -
栅极电压Vgs - ±30V
封装/外壳 TO-220-3 整包 TO-220F-3
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 20nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 16 A
长度 - 10.1mm
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 225 毫欧 @ 4.8A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
最低工作温度 - -55 °C
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
最高工作温度 - +150 °C
每片芯片元件数目 - 1 Ohms
高度 - 9.4mm
类别 - 功率 MOSFET
典型关断延迟时间 - 165 ns
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 1730 pF @ 25 V
晶体管材料 - Si
Pd-功率耗散(Max) - 37.9W(Tc)
晶体管配置 -
FET类型 N 通道 增强
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 240uA -
系列 - SuperFET
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2250pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 70nC @ 10V
25°C时电流-连续漏极(Id) 7A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 650V -
典型接通延迟时间 - 42 ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPA65R225C7XKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPA65R225C7_TO-220-3整包

暂无价格 0 当前型号
R6020JNXC7G ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-220FM

暂无价格 50 对比
R6020JNXC7G ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-220FM

¥52.3583 

阶梯数 价格
3: ¥52.3583
10: ¥28.7952
50: ¥25.9204
50 对比
R6020JNXC7G ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-220FM

¥52.3583 

阶梯数 价格
3: ¥52.3583
10: ¥28.7952
18 对比
FCPF16N60 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3 TO-220F 10.1mm 10.1*4.7*9.4mm TO-220F-3

暂无价格 0 对比
TK14A65W,S5X Toshiba  数据手册 通用MOSFET

TO-220SIS

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售