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IPA65R1K5CEXKSA1  与  AOTF8N80  区别

型号 IPA65R1K5CEXKSA1 AOTF8N80
唯样编号 A-IPA65R1K5CEXKSA1 A-AOTF8N80
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 5.2A TO220
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 11
功率耗散(最大值) 30W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 1630mΩ@10V
ESD Diode - No
Qgd(nC) - 9.1
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 225pF @ 100V -
栅极电压Vgs - 30V
Td(on)(ns) - 35
封装/外壳 TO-220-3 整包 TO-220F
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 10.5nC @ 10V -
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ) -
连续漏极电流Id - 7.4A
Ciss(pF) - 1375
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 1.5 欧姆 @ 1A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 484
Td(off)(ns) - 69
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 800V
Pd-功率耗散(Max) - 50W
Qrr(nC) - 6000
VGS(th) - 4.5
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 130uA -
FET功能 超级结 -
25°C时电流-连续漏极(Id) 5.2A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 650V -
Coss(pF) - 101
Qg*(nC) - 26
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPA65R1K5CEXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPA65R1K5CE_TO-220-3整包

暂无价格 0 当前型号
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阶梯数 价格
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