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IPA65R1K0CEXKSA1  与  TK10A80E,S4X  区别

型号 IPA65R1K0CEXKSA1 TK10A80E,S4X
唯样编号 A-IPA65R1K0CEXKSA1 A-TK10A80E,S4X
制造商 Infineon Technologies Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 7.2A TO220 MOSFET N-CH 800V 10A TO220SIS
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 68W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds - 800 V
Pd-功率耗散(Max) - 50W(Tc)
产品状态 - 在售
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 1 欧姆 @ 5A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 328pF @ 100V 2000 pF @ 25 V
Vgs(th) - 4V @ 1mA
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 46 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-220-3 整包 TO-220SIS
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 200uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 15.3nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 10A(Ta)
FET功能 超级结 -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 1 欧姆 @ 1.5A,10V -
Vgs(最大值) ±20V ±30V
25°C时电流-连续漏极(Id) 7.2A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V 10V
漏源电压(Vdss) 650V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPA65R1K0CEXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPA65R1K0CE_N 通道 TO-220-3 整包 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
R8008ANX ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 800V 8A(Ta) ±30V 50W(Tc) 1.03Ω@4A,10V 150°C(TJ) TO-220-3

暂无价格 600 对比
R8008ANX ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 800V 8A(Ta) ±30V 50W(Tc) 1.03Ω@4A,10V 150°C(TJ) TO-220-3

¥39.7313 

阶梯数 价格
1: ¥39.7313
100: ¥22.9647
500: ¥14.5596
100 对比
STF8N80K5 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220FP-3

暂无价格 0 对比
STF8N80K5 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220FP-3

暂无价格 0 对比
TK10A80E,S4X Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 50W(Tc) TO-220SIS 150°C(TJ) 800 V 10A(Ta)

暂无价格 0 对比

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