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IPA60R600C6XKSA1  与  R6009JNXC7G  区别

型号 IPA60R600C6XKSA1 R6009JNXC7G
唯样编号 A-IPA60R600C6XKSA1 A3-R6009JNXC7G
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-FP MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 28W(Tc) 53W(Tc)
技术 MOSFET(金属氧化物) MOSFET(金属氧化物)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 440pF @ 100V 645pF @ 100V
FET类型 N 通道 N 通道
封装/外壳 TO-220-3 整包 TO-220FM
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 200uA 7V @ 1.38mA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 20.5nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 600 毫欧 @ 2.4A,10V 585 毫欧 @ 4.5A,15V
Vgs(最大值) ±20V ±30V
25°C时电流-连续漏极(Id) 7.3A(Tc) 9A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V 15V
漏源电压(Vdss) 600V 600V
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) - 22nC @ 15V
库存与单价
库存 0 50
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPA60R600C6XKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPA60R600C6_TO-220-3整包

暂无价格 0 当前型号
R8010ANX ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3 15.4mm

¥31.8328 

阶梯数 价格
5: ¥31.8328
10: ¥26.6966
50: ¥23.6111
100: ¥21.0334
125 对比
R8010ANX ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3 15.4mm

暂无价格 100 对比
R8010ANX ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3 15.4mm

暂无价格 100 对比
R6009JNXC7G ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-220FM

暂无价格 50 对比
R6009JNXC7G ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-220FM

¥6.0194 

阶梯数 价格
1: ¥6.0194
25: ¥5.5734
50: ¥5.1607
50 对比

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