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IPA60R385CPXKSA1  与  STF13N60M2  区别

型号 IPA60R385CPXKSA1 STF13N60M2
唯样编号 A-IPA60R385CPXKSA1 A36-STF13N60M2
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 9A TO220-FP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 31W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 380mΩ@5.5A,10V
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 25W(Tc)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 790pF @ 100V -
栅极电压Vgs - ±25V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 整包 TO-220FP
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 340uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 22nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 11A
系列 - MDmesh™ II Plus
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 580pF @ 100V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 385 毫欧 @ 5.2A,10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 17nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 9A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
漏源电压(Vdss) 600V -
库存与单价
库存 0 866
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥3.608
50+ :  ¥2.772
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