IPA60R380C6 与 SIHF16N50C-E3 区别
| 型号 | IPA60R380C6 | SIHF16N50C-E3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IPA60R380C6 | A3t-SIHF16N50C-E3 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 31 W | Pd - 功率消耗 | - |
| 宽度 | 4.85mm | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 340mΩ | 380mΩ@8A,10V |
| 上升时间 | 10 ns | - |
| 公司名称 | CoolMOS | - |
| Qg-栅极电荷 | 32nC | - |
| 标准包装数量 | 500 | - |
| 栅极电压Vgs | 20V | ±30V |
| 封装/外壳 | - | TO-220 |
| 连续漏极电流Id | 10.6A | 16A(Tc) |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) |
| 32 nC | Qg - 闸极充电 | - |
| 配置 | Single | - |
| 标准断开延迟时间 | 110 ns | - |
| 长度 | 10.65mm | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 下降时间 | 9 ns | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 5V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1900pF @ 25V |
| 高度 | 16.15mm | - |
| 漏源极电压Vds | 600V | 500V |
| Pd-功率耗散(Max) | 31W | 38W |
| 典型关闭延迟时间 | 110ns | - |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 系列 | IPA60R380 | - |
| 通道数量 | 1Channel | - |
| 典型接通延迟时间 | 15ns | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 68nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPA60R380C6 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
600V 10.6A 340mΩ 20V 31W N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
SIHA12N60E-E3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
12A(Tc) N-Channel 380 mOhms @ 6A,10V 33W(Tc) TO-220-3 -55°C~150°C 600V |
暂无价格 | 50 | 对比 |
|
SIHF16N50C-E3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 500V 16A(Tc) ±30V 38W 380mΩ@8A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
SIHF16N50C-E3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 500V 16A(Tc) ±30V 38W 380mΩ@8A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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