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IPA60R210CFD7  与  R6018VNXC7G  区别

型号 IPA60R210CFD7 R6018VNXC7G
唯样编号 A-IPA60R210CFD7 A-R6018VNXC7G
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 600V 10A TO-220FM, PrestoMOS™ with integrated high-speed diode
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 210mΩ 0.17Ω@15V
Moisture Level NA -
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) - 61W
栅极电压Vgs 3.5V,4.5V ±30V
Special Features fast recovery diode -
FET类型 N-Channel N-Channel
Pin Count 3.0 Pins -
封装/外壳 TO-220 FullPAK TO-220FM
Mounting THT -
连续漏极电流Id 7A 10A
工作温度 -55°C~150°C -
QG (typ @10V) 23.0 nC -
Ptot max 25.0 W -
IDpuls max 42.0 A -
Budgetary Price €€/1k 0.94 -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPA60R210CFD7 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPA60R210CFD7XKSA1_7A TO-220 FullPAK -55°C~150°C N-Channel 600V 210mΩ 3.5V,4.5V

暂无价格 0 当前型号
R6018VNXC7G ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220FM N-Channel ±30V 600V 10A 0.17Ω@15V 61W

¥14.2874 

阶梯数 价格
20: ¥14.2874
50: ¥9.7454
100: ¥9.18
300: ¥8.8063
500: ¥8.7296
1,000: ¥8.6721
1,000 对比
R6018VNXC7G ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220FM N-Channel ±30V 600V 10A 0.17Ω@15V 61W

¥14.2874 

阶梯数 价格
20: ¥14.2874
29 对比
R6018VNXC7G ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220FM N-Channel ±30V 600V 10A 0.17Ω@15V 61W

暂无价格 18 对比
R6018VNXC7G ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220FM N-Channel ±30V 600V 10A 0.17Ω@15V 61W

暂无价格 0 对比

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