IPA60R190C6 与 SIHA22N60E-E3 区别
| 型号 | IPA60R190C6 | SIHA22N60E-E3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IPA60R190C6 | A-SIHA22N60E-E3 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | N-Channel 600 V 35 W 57 nC Flange Mount Power Mosfet - TO-220FP | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 不符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | 4.85mm | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 170mΩ | 180 mOhms @ 11A,10V |
| 上升时间 | 11ns | - |
| Qg-栅极电荷 | 63nC | - |
| Vgs(th) | - | 4V @ 250uA |
| 栅极电压Vgs | 20V | - |
| 封装/外壳 | - | TO-220-3 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C |
| 连续漏极电流Id | 20.2A | 21A(Tc) |
| 配置 | Single | - |
| 长度 | 10.65mm | - |
| Vgs(最大值) | - | ±30V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - |
| 下降时间 | 9ns | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1400pF @ 100V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 3.5V @ 630µA | - |
| 高度 | 16.15mm | - |
| 漏源极电压Vds | 600V | 600V |
| Pd-功率耗散(Max) | 34W | 35W(Tc) |
| 典型关闭延迟时间 | 110ns | - |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 通道数量 | 1Channel | - |
| 系列 | CoolMOSC6 | - |
| 典型接通延迟时间 | 15ns | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 63nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 500 | 35 |
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPA60R190C6 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 600V 20.2A 170mΩ 20V 34W N-Channel |
暂无价格 | 500 | 当前型号 |
|
SIHA22N60E-E3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
21A(Tc) N-Channel 180 mOhms @ 11A,10V 35W(Tc) TO-220-3 -55°C~150°C 600V |
暂无价格 | 35 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
