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IPA60R190C6XKSA1  与  STF22NM60N  区别

型号 IPA60R190C6XKSA1 STF22NM60N
唯样编号 A-IPA60R190C6XKSA1 A36-STF22NM60N
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP STF22NM60N Series 600 V 0.22 Ohm 16 A MDmesh™ II Power MOSFET - TO-220FP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 34W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 220mΩ
上升时间 - 18ns
Qg-栅极电荷 - 44nC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1400pF @ 100V -
栅极电压Vgs - 3V
封装/外壳 TO-220-3 整包 TO-220-3
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 63nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id - 16A
配置 - Single
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 190 毫欧 @ 9.5A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
下降时间 - 38ns
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 650V
Pd-功率耗散(Max) - 30W
典型关闭延迟时间 - 74ns
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 630uA -
系列 - STF22NM60N
通道数量 - 1Channel
25°C时电流-连续漏极(Id) 20.2A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 600V -
典型接通延迟时间 - 11ns
库存与单价
库存 0 4,600
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
7+ :  ¥7.557
100+ :  ¥6.039
1,000+ :  ¥5.599
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