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IPA60R190C6XKSA1  与  AOTF25S65  区别

型号 IPA60R190C6XKSA1 AOTF25S65
唯样编号 A-IPA60R190C6XKSA1 A-AOTF25S65
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 1.4
功率耗散(最大值) 34W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 190mΩ@10V
ESD Diode - No
Qgd(nC) - 9.5
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1400pF @ 100V -
栅极电压Vgs - 30V
Td(on)(ns) - 29
封装/外壳 TO-220-3 整包 TO-220F
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 63nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -
连续漏极电流Id - 25A
Ciss(pF) - 1278
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 190 毫欧 @ 9.5A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 408
Td(off)(ns) - 112
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 650V
Pd-功率耗散(Max) - 50W
Qrr(nC) - 8270
VGS(th) - 4
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 630uA -
25°C时电流-连续漏极(Id) 20.2A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 600V -
Coss(pF) - 87
Qg*(nC) - 26.4*
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPA60R190C6XKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPA60R190C6_TO-220-3整包

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