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IPA60R180C7XKSA1  与  STF24N60M2  区别

型号 IPA60R180C7XKSA1 STF24N60M2
唯样编号 A-IPA60R180C7XKSA1 A3-STF24N60M2
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 9A TO220-FP N-Channel 600 V 190 mO Flange Mount MDMesh II Plus Mosfet - TO-220FP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 29W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 190mΩ@9A,10V
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 30W(Tc)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1080pF @ 400V -
栅极电压Vgs - ±25V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 整包 TO-220FP
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 260uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 24nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 18A
系列 - MDmesh™ II Plus
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1060pF @ 100V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 180 毫欧 @ 5.3A,10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 29nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 9A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
漏源电压(Vdss) 600V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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