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IPA60R160C6XKSA1  与  AOTF20S60L  区别

型号 IPA60R160C6XKSA1 AOTF20S60L
唯样编号 A-IPA60R160C6XKSA1 A-AOTF20S60L
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 23.8A TO220-FP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 34W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 199mΩ@10A,10V
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 50W
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1660pF @ 100V -
栅极电压Vgs - ±30V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 整包 TO220F
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 750uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 75nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 20A
系列 - AOTF
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4.1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1038pF @ 100V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 160 毫欧 @ 11.3A,10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 19.8nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 23.8A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
漏源电压(Vdss) 600V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPA60R160C6XKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPA60R160C6_N 通道 TO-220-3 整包 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
STF24N60M2 STMicro  数据手册 功率MOSFET

±25V 30W(Tc) 190mΩ@9A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220FP N-Channel 600V 18A

暂无价格 30,000 对比
STF24N60M2 STMicro  数据手册 功率MOSFET

±25V 30W(Tc) 190mΩ@9A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220FP N-Channel 600V 18A

¥4.29 

阶梯数 价格
20: ¥4.29
100: ¥3.432
1,000: ¥3.278
10,498 对比
STF26NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

±30V 35W(Tc) 165mΩ@10A,10V 150°C(TJ) TO-220FP N-Channel 600V 20A

暂无价格 10,000 对比
STF26NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

±30V 35W(Tc) 165mΩ@10A,10V 150°C(TJ) TO-220FP N-Channel 600V 20A

¥6.6 

阶梯数 价格
8: ¥6.6
100: ¥5.28
1,000: ¥5.06
2,969 对比
AOTF20S60L AOS  数据手册 功率MOSFET

±30V 199mΩ@10A,10V -55°C~150°C(TJ) N-Channel 600V 20A TO220F 50W

暂无价格 0 对比

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