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IPA50R800CEXKSA2  与  TK11A45D(STA4,Q,M)  区别

型号 IPA50R800CEXKSA2 TK11A45D(STA4,Q,M)
唯样编号 A-IPA50R800CEXKSA2 A-TK11A45D(STA4,Q,M)
制造商 Infineon Technologies Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 500V 4.1A TO220 MOSFET N-CH 450V 11A TO220SIS
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 26.4W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds - 450 V
Pd-功率耗散(Max) - 40W(Tc)
产品状态 - 在售
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 620 毫欧 @ 5.5A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 280pF @ 100V 1050 pF @ 25 V
Vgs(th) - 4V @ 1mA
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 20 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-220-3 整包 TO-220SIS
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 130uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 12.4nC @ 10V -
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 11A(Ta)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 800 毫欧 @ 1.5A,13V -
Vgs(最大值) ±20V ±30V
25°C时电流-连续漏极(Id) 4.1A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 13V 10V
漏源电压(Vdss) 500V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPA50R800CEXKSA2 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPA50R800CE_N 通道 TO-220-3 整包 -40°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
TK11A45D(STA4,Q,M) Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 40W(Tc) TO-220SIS 150°C(TJ) 450 V 11A(Ta)

暂无价格 0 对比
IPA50R800CE Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPA50R800CEXKSA2_500V -40°C~150°C(TJ) 7.6A 720mΩ 20V 26.4W N-Channel

暂无价格 0 对比
TK9A55DA(STA4,Q,M) Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 40W(Tc) TO-220SIS 150°C(TJ) 550 V 8.5A(Ta)

暂无价格 0 对比

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