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IPA50R800CEXKSA2  与  IPA50R800CE  区别

型号 IPA50R800CEXKSA2 IPA50R800CE
唯样编号 A-IPA50R800CEXKSA2 A-IPA50R800CE
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 500V 4.1A TO220
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 26.4W(Tc) -
宽度 - 4.85mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 720mΩ
上升时间 - 5.5ns
Qg-栅极电荷 - 12.4nC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 280pF @ 100V -
栅极电压Vgs - 20V
封装/外壳 TO-220-3 整包 -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 12.4nC @ 10V -
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ) -40°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 7.6A
配置 - Single
长度 - 10.65mm
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 800 毫欧 @ 1.5A,13V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 13V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 13V
下降时间 - 15.9ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 130µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 280pF @ 100V
高度 - 16.15mm
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 500V
Pd-功率耗散(Max) - 26.4W
典型关闭延迟时间 - 26ns
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 130uA -
通道数量 - 1Channel
系列 - CoolMOSCE
25°C时电流-连续漏极(Id) 4.1A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 500V -
典型接通延迟时间 - 6.2ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 12.4nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPA50R800CEXKSA2 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPA50R800CE_N 通道 TO-220-3 整包 -40°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
TK11A45D(STA4,Q,M) Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 40W(Tc) TO-220SIS 150°C(TJ) 450 V 11A(Ta)

暂无价格 0 对比
IPA50R800CE Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPA50R800CEXKSA2_500V -40°C~150°C(TJ) 7.6A 720mΩ 20V 26.4W N-Channel

暂无价格 0 对比
TK9A55DA(STA4,Q,M) Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 40W(Tc) TO-220SIS 150°C(TJ) 550 V 8.5A(Ta)

暂无价格 0 对比

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