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IPA057N06N3GXKSA1  与  IPP45N06S4L-08  区别

型号 IPA057N06N3GXKSA1 IPP45N06S4L-08
唯样编号 A-IPA057N06N3GXKSA1 A-IPP45N06S4L-08
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 60A TO220-3-31
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 38W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 14mΩ
Moisture Level - 1 Ohms
漏源极电压Vds - 60V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 6600pF @ 30V -
栅极电压Vgs - 1.2V,2V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 整包 TO-220
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 58uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 82nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -
连续漏极电流Id - 45A
RthJC max - 2.1 K/W
QG (typ @10V) - 49.0 nC
Ptot max - 71.0W
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 5.7 毫欧 @ 60A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 60A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
漏源电压(Vdss) 60V -
Budgetary Price €€/1k - 0.4
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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