首页 > 商品目录 > > > > IPA032N06N3GXKSA1代替型号比较

IPA032N06N3GXKSA1  与  IRFI7536GPBF  区别

型号 IPA032N06N3GXKSA1 IRFI7536GPBF
唯样编号 A-IPA032N06N3GXKSA1 A-IRFI7536GPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 84A TO220-3-31 Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFI7536GPBF, 86 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220FP封装
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 41W(Tc) -
宽度 - 4.83mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 3.4mΩ
引脚数目 - 3
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 13000pF @ 30V -
封装/外壳 TO-220-3 整包 -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 165nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 86A
长度 - 10.63mm
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 3.2 毫欧 @ 80A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
每片芯片元件数目 - 1 Ohms
正向二极管电压 - 1.3V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 150µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 6600pF @ 48V
高度 - 9.8mm
类别 - 功率 MOSFET
典型关断延迟时间 - 55 ns
技术 MOSFET(金属氧化物) -
晶体管材料 - Si
Pd-功率耗散(Max) - 75W
晶体管配置 -
FET类型 N 通道 -
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 118uA -
系列 - HEXFET
25°C时电流-连续漏极(Id) 84A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 60V -
典型接通延迟时间 - 22 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 195nC @ 10V
正向跨导 - 88S
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPA032N06N3GXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPA032N06N3 G_N 通道 TO-220-3 整包 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
IRFI7536GPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) 86A 3.4mΩ 75W

暂无价格 0 对比
AOTF266L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220F N-Channel 60V 20V 78A 45.5W 3.5mΩ@10V

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售