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IPA032N06N3GXKSA1  与  AOTF266L  区别

型号 IPA032N06N3GXKSA1 AOTF266L
唯样编号 A-IPA032N06N3GXKSA1 A-AOTF266L
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 84A TO220-3-31
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 20
功率耗散(最大值) 41W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 3.5mΩ@10V
ESD Diode - No
Rds On(Max)@4.5V - 4mΩ
Qgd(nC) - 7
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 13000pF @ 30V -
栅极电压Vgs - 20V
Td(on)(ns) - 21
封装/外壳 TO-220-3 整包 TO-220F
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 165nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -
连续漏极电流Id - 78A
Ciss(pF) - 5650
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 3.2 毫欧 @ 80A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 27
Td(off)(ns) - 36
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 45.5W
Qrr(nC) - 145
VGS(th) - 3.2
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 118uA -
25°C时电流-连续漏极(Id) 84A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 60V -
Coss(pF) - 720
Qg*(nC) - 65*
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPA032N06N3GXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPA032N06N3 G_N 通道 TO-220-3 整包 -55°C ~ 175°C(TJ)

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IRFI7536GPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) 86A 3.4mΩ 75W

暂无价格 0 对比
AOTF266L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220F N-Channel 60V 20V 78A 45.5W 3.5mΩ@10V

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