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IKW75N60TFKSA1  与  IKW75N60TA  区别

型号 IKW75N60TFKSA1 IKW75N60TA
唯样编号 A-IKW75N60TFKSA1 A3f-IKW75N60TA
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET IGBT晶体管
描述 IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247-3
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
栅极—射极漏泄电流 - 100nA
电流-集电极脉冲(Icm) 225A -
栅极电荷 470nC -
功率 - 428W
功率-最大值 428W -
输入类型 标准 -
IGBT类型 沟槽型场截止 -
25°C时Td(开/关)值 33ns/330ns -
电流-集电极(Ic)(最大值) 80A -
集电极—发射极最大电压 VCEO - 600V
栅极/发射极最大电压 - ±20V
封装/外壳 TO-247-3 Tube
不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值) 2V @ 15V,75A -
电压-集射极击穿(最大值) 600V -
工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ) -40°C ~ 175°C
配置 - Single
系列 - TRENCHSTOP
开关能量 4.5mJ -
在25 C的连续集电极电流 - 80A
测试条件 400V,75A,5 欧姆,15V -
反向恢复时间(trr) 121ns -
集电极—射极饱和电压 - 1.5V
库存与单价
库存 0 26
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IKW75N60TFKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IKW75N60T_TO-247-3 -40°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
STGW39NC60VD STMicro  数据手册 IGBT晶体管

TO-247-3

暂无价格 24,000 对比
STGW39NC60VD STMicro  数据手册 IGBT晶体管

TO-247-3

¥10.395 

阶梯数 价格
5: ¥10.395
10: ¥8.668
30 对比
IKW75N60TA Infineon  数据手册 IGBT晶体管

IKW75N60TAFKSA1_428W Tube -40°C ~ 175°C

暂无价格 26 对比
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暂无价格 0 对比
AOK40B60D1 AOS  数据手册 IGBT晶体管

278W -55°C ~ 150°C(TJ) TO-247

暂无价格 0 对比

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