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IKW75N60TFKSA1  与  STGW39NC60VD  区别

型号 IKW75N60TFKSA1 STGW39NC60VD
唯样编号 A-IKW75N60TFKSA1 A36-STGW39NC60VD
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET IGBT晶体管
描述 IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247-3 IGBT 600V 80A 250W TO247
数据表
RoHs 不符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
电流-集电极脉冲(Icm) 225A -
栅极电荷 470nC -
功率-最大值 428W -
输入类型 标准 -
IGBT类型 沟槽型场截止 -
25°C时Td(开/关)值 33ns/330ns -
电流-集电极(Ic)(最大值) 80A -
封装/外壳 TO-247-3 TO-247-3
不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值) 2V @ 15V,75A -
电压-集射极击穿(最大值) 600V -
工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ) -
开关能量 4.5mJ -
测试条件 400V,75A,5 欧姆,15V -
反向恢复时间(trr) 121ns -
库存与单价
库存 0 30
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
5+ :  ¥10.395
10+ :  ¥8.668
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阶梯数 价格
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