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IKP20N60TXKSA1  与  IRGB4062DPBF  区别

型号 IKP20N60TXKSA1 IRGB4062DPBF
唯样编号 A-IKP20N60TXKSA1 A-IRGB4062DPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 IGBT晶体管 IGBT晶体管
描述 IGBT 600V 40A 166W TO220-3 IRGB4062DPbF Series 600 V 24 A N-Channel Bipolar Transistor IGBT - TO-220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
电流-集电极脉冲(Icm) 60A -
电流-集电极(Ic)(最大值) - 48A
功率 - 250W
脉冲电流 - 集电极 (Icm) - 72A
IGBT 类型 - 沟道
IGBT类型 沟槽型场截止 沟道
电压-集射极击穿(最大值) - 600V
脉冲电流-集电极(Icm) - 72A
电压 - 集射极击穿(最大值) - 600V
电流 - 集电极(Ic)(最大值) - 48A
封装/外壳 TO-220-3 TO-220AB
不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值) 2.05V @ 15V,20A -
电压-集射极击穿(最大值) 600V -
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) - 1.95V @ 15V,24A
工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
开关能量 770uJ 115µJ(开),600µJ(关)
不同 Vge,Ic时的 Vce(on) - 1.95V @ 15V,24A
测试条件 400V,20A,12 欧姆,15V 400V,24A,10 欧姆,15V
反向恢复时间(trr) 41ns -
25°C时Td(开/关)值 - 41ns/104ns
栅极电荷 120nC -
反向恢复时间(trr) - 89ns
功率-最大值 166W -
输入类型 标准 标准
25°C时Td(开/关)值 18ns/199ns -
电流-集电极(Ic)(最大值) 40A -
25°C 时 Td(开/关)值 - 41ns/104ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IKP20N60TXKSA1 Infineon  数据手册 IGBT晶体管

IKP20N60T_TO-220-3 -40°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
IRGB4062DPBF Infineon  数据手册 IGBT晶体管

-55°C ~ 175°C(TJ) 250W TO-220AB

暂无价格 0 对比
IRGB4620DPBF Infineon  数据手册 IGBT晶体管

-40°C ~ 175°C(TJ) 140W 10.67*4.83*16.51mm

暂无价格 0 对比
IRG4BC40WPBF Infineon  数据手册 IGBT晶体管

-55°C ~ 150°C(TJ) 160W TO-220AB

暂无价格 0 对比
IKP20N60TAHKSA1 Infineon  数据手册 IGBT晶体管

IKP20N60TA_TO-220-3 -40°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IRG4BC40UPBF Infineon  数据手册 IGBT晶体管

-55°C ~ 150°C(TJ) 160W TO-220AB

暂无价格 0 对比

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