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IGW40N60H3FKSA1  与  STGW39NC60VD  区别

型号 IGW40N60H3FKSA1 STGW39NC60VD
唯样编号 A-IGW40N60H3FKSA1 A3-STGW39NC60VD
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 IGBT晶体管 IGBT晶体管
描述 IGBT 600V 80A 306W TO247-3 IGBT 600V 80A 250W TO247
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
电流-集电极脉冲(Icm) 160A -
栅极电荷 223nC -
功率-最大值 306W -
输入类型 标准 -
IGBT类型 沟槽型场截止 -
25°C时Td(开/关)值 19ns/197ns -
电流-集电极(Ic)(最大值) 80A -
封装/外壳 TO-247-3 TO-247-3
不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值) 2.4V @ 15V,40A -
电压-集射极击穿(最大值) 600V -
工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ) -
开关能量 1.68mJ -
测试条件 400V,40A,7.9 欧姆,15V -
库存与单价
库存 0 24,000
工厂交货期 56 - 70天 5 - 7天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IGW40N60H3FKSA1 Infineon  数据手册 IGBT晶体管

IGW40N60H3_TO-247-3 -40°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
STGW39NC60VD STMicro  数据手册 IGBT晶体管

TO-247-3

暂无价格 24,000 对比
STGW39NC60VD STMicro  数据手册 IGBT晶体管

TO-247-3

¥10.395 

阶梯数 价格
5: ¥10.395
10: ¥8.668
30 对比
STGW39NC60VD STMicro  数据手册 IGBT晶体管

TO-247-3

暂无价格 0 对比
AUIRGP4063D Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) 330W TO-247AC 车规

暂无价格 0 对比
IKW40N60H3 Infineon  数据手册 IGBT晶体管

IKW40N60H3FKSA1_-40°C ~ 175°C(TJ) PG-TO247-3 306W

暂无价格 0 对比

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